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IRF630 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-2757-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF630 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF630 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 700 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 75W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 400mOhm bei 4,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ73E3046XK | Infineon Technologies | 0 | BUZ73E3046XK-ND | 0,47794 € | Ähnlich |
| FQP10N20C | onsemi | 0 | FQP10N20C-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IRF530NPBF | Infineon Technologies | 0 | IRF530NPBF-ND | 1,17000 € | Ähnlich |
| IRF630NPBF | Infineon Technologies | 0 | IRF630NPBF-ND | 1,38000 € | Ähnlich |
| IRF630PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF630PBF-ND | 1,92000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,38000 € | 1,38 € |
| 50 | 0,62140 € | 31,07 € |
| 100 | 0,59930 € | 59,93 € |
| 500 | 0,53602 € | 268,01 € |
| 1.000 | 0,49679 € | 496,79 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,38000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,64220 € |













