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N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF630

DigiKey-Teilenr.
497-2757-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF630
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF630 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 4,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
BUZ73E3046XKInfineon Technologies0BUZ73E3046XK-ND0,47794 ۀhnlich
FQP10N20Consemi0FQP10N20C-ND0,00000 ۀhnlich
IRF530NPBFInfineon Technologies0IRF530NPBF-ND1,17000 ۀhnlich
IRF630NPBFInfineon Technologies0IRF630NPBF-ND1,38000 ۀhnlich
IRF630PBFVishay Siliconix0IRF630PBF-ND1,92000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,38000 €1,38 €
500,62140 €31,07 €
1000,59930 €59,93 €
5000,53602 €268,01 €
1.0000,49679 €496,79 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:1,64220 €