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N-Kanal 600 V 8 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STF10N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16959-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF10N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 8 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF10N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
529 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
530mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCPF600N60Zonsemi674FCPF600N60Z-ND2,73000 ۀhnlich
IPA80R460CEXKSA2Infineon Technologies0IPA80R460CEXKSA2-ND2,33000 ۀhnlich
RJK6014DPP-A0#T2Renesas Electronics Corporation0559-RJK6014DPP-A0#T2-ND4,39000 ۀhnlich
SPA11N60CFDXKSA1Infineon Technologies0SPA11N60CFDXKSA1-ND1,12522 ۀhnlich
TK10A80W,S4XToshiba Semiconductor and Storage9264-TK10A80W,S4X-ND3,04000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,87000 €1,87 €
500,90680 €45,34 €
1000,81310 €81,31 €
5000,64870 €324,35 €
1.0000,59584 €595,84 €
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5.0000,50984 €2.549,20 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:1,87000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,22530 €