Name: STGB30H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGB30H65DFB2TR-ND
Price: 2.7965 EUR
Availability: OutOfStock

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STGB30H65DFB2
DigiKey-Teilenr.	497-STGB30H65DFB2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STGB30H65DFB2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STGB30H65DFB2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STGB30H65DFB2
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 50 A 167 W Oberflächenmontage D2PAK-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STGB30H65DFB2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Schaltenergie 270µJ (Ein), 310µJ (Aus)
Hersteller STMicroelectronics	Eingangstyp Standard
Serie HB2	Gate-Ladung 90 nC
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) bei 25°C 18,4ns/71ns
Status der Komponente Aktiv	Testbedingung 400V, 30A, 6,8Ohm, 15V
IGBT-Typ Trench Feldstopp	Umkehrerholungszeit (trr) 115 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50 A	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 90 A	Gehäuse / Hülle TO-263-4, D2PAK (3 Pins + Lasche), TO-263AA
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 30A	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK-3
Leistung - Max. 167 W	Basis-Produktnummer STGB30