Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 5.7834 EUR
Availability: OutOfStock

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STH60N099DM9-2AG
DigiKey-Teilenr.	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STH60N099DM9-2AG
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 27 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STH60N099DM9-2AG Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 44 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2140 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 27 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 13,5A, 10V