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N-Kanal 80 V 100 A (Tc) 176W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP100N8F6

DigiKey-Teilenr.
497-15553-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP100N8F6
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 100 A (Tc) 176W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5955 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
176W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT288LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT288L-ND0,75189 ۀhnlich
AOT296LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT296L-ND0,84260 ۀhnlich
DMT10H010LCTDiodes Incorporated0DMT10H010LCTDI-ND1,98000 ۀhnlich
DMTH10H010LCTDiodes Incorporated0DMTH10H010LCTDI-5-ND1,92000 ۀhnlich
FDP3632onsemi0FDP3632-ND3,84000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,72000 €1,72 €
500,71260 €35,63 €
1000,70440 €70,44 €
5000,62004 €310,02 €
1.0000,60106 €601,06 €
2.0000,51513 €1.030,26 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:2,04680 €