Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 1.071 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STQ1NK80ZR-AP
DigiKey-Teilenr.	497-6197-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-6197-3-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STQ1NK80ZR-AP
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STQ1NK80ZR-AP Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 50µA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7.7 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 160 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 300mA (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer STQ1NK80
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16Ohm bei 500mA, 10V