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N-Kanal 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW35N65DM2

DigiKey-Teilenr.
497-STW35N65DM2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW35N65DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW35N65DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2540 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCH099N60Eonsemi0FCH099N60E-ND0,00000 ۀhnlich
FCH104N60Fonsemi0FCH104N60F-ND6,81000 ۀhnlich
FCH110N65F-F155onsemi0FCH110N65F-F155-ND7,47000 ۀhnlich
FCH25N60Nonsemi0FCH25N60NOS-ND0,00000 ۀhnlich
SCT3080ALGC11Rohm Semiconductor0SCT3080ALGC11-ND5,97000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,14000 €5,14 €
103,44400 €34,44 €
1002,48430 €248,43 €
6002,03820 €1.222,92 €
1.2002,01191 €2.414,29 €
Standardverpackung des Herstellers
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