Name: TK14G65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65WRQTR-ND
Price: 2.8798 EUR
Availability: OutOfStock

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TK14G65W,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK14G65WRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK14G65WRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK14G65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK14G65W,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK14G65W,RQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 690µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13,7 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK14G65
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 250mOhm bei 6.9A, 10V