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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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Datenblatt
N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB11N50APBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB11N50APBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB11N50APBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB11N50APBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1423 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
520mOhm bei 6,6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFB11N50APBF-BE3Vishay Siliconix0742-IRFB11N50APBF-BE3-ND2,08000 €Direkter Ersatz
AOT12N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1240-5-ND0,71761 ۀhnlich
AOT13N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT13N50-ND0,74988 ۀhnlich
FQP13N50onsemi0FQP13N50-ND0,00000 ۀhnlich
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,13000 €3,13 €
501,58240 €79,12 €
1001,43250 €143,25 €
5001,16998 €584,99 €
1.0001,08563 €1.085,63 €
2.0001,03086 €2.061,72 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,72470 €