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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFIBF30GPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-IRFIBF30GPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFIBF30GPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 70 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 900 V 1,9 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,7Ohm bei 1,1A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1808-E | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-2SK1808-E-ND | 8,44205 € | Ähnlich |
| 2SK3798(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-2SK3798(STA4QM)-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| BFL4026-1E | onsemi | 0 | BFL4026-1E-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| FQPF4N90CT | onsemi | 0 | FQPF4N90CT-ND | 0,62802 € | Ähnlich |
| STP3NK90ZFP | STMicroelectronics | 0 | 497-5979-5-ND | 0,99000 € | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,87000 € | 3,87 € |
| 50 | 1,99080 € | 99,54 € |
| 100 | 1,80950 € | 180,95 € |
| 500 | 1,49214 € | 746,07 € |
| 1.000 | 1,39022 € | 1.390,22 € |
| 2.000 | 1,37167 € | 2.743,34 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,87000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,60530 € |
