IRFPE40PBF Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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IRFPE40PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFPE40PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFPE40PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 5,4 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFPE40PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1900 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,4 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2Ohm bei 3,2A, 10V	Basis-Produktnummer IRFPE40