Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 0.8092 EUR
Availability: OutOfStock

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XP3N2R8AMT
DigiKey-Teilenr.	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer	XP3N2R8AMT
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 32,8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage 8-PMPAK (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,8mOhm bei 20A, 10V
Herst. YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Serie XP3N2R8A	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4080 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32,8A (Ta), 60A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PMPAK (5x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerLDFN

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