Name: BSC025N08LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC025N08LS5ATMA1TR-ND
Price: 2.7013 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC025N08LS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC025N08LS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC025N08LS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC025N08LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC025N08LS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC025N08LS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 115µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 55 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7500 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 156W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSC025
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 50A, 10V

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