Name: IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND
Price: 4.284 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN08S7L013ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN08S7L013ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN08S7L013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN08S7L013ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 293A (Tj) 219W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-53
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUCN08S7L013ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 131µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 156 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9554 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 219W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 293A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-53
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,26mOhm bei 88A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN