N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMW65R050M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW65R050M2HXKSA1
Beschreibung
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 3,7mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
153W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-40
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 20V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
46mOhm bei 18,2A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 0
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Maximales kauflimit
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