Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 29.4525 EUR
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Neues Produkt

N-Kanal 1200 V 85 A (Tc) 266W Durchkontaktierung ISO247-3L

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IXSJ80N120R1
DigiKey-Teilenr.	238-IXSJ80N120R1-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSJ80N120R1
Beschreibung	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 85 A (Tc) 266W Durchkontaktierung ISO247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 22,2mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 154 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +21V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4522 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 266W
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 85 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten ISO247-3L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22,5mOhm bei 40A, 18V

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1	24,75000 €	24,75 €
30	16,08200 €	482,46 €
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