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N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R199CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R199CPXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA60R199CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R199CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 1,1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1520 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-31
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
199mOhm bei 9,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STF33N60DM2STMicroelectronics0497-16355-5-ND3,55000 €Direkter Ersatz
FCPF150N65Fonsemi0FCPF150N65FOS-ND5,33000 ۀhnlich
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.03757-PJMF190N60E1_T0_00001-ND2,18000 ۀhnlich
R6020KNXRohm Semiconductor0R6020KNX-ND3,12000 ۀhnlich
SIHA21N60EF-GE3Vishay Siliconix0742-SIHA21N60EF-GE3-ND4,03000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,53000 €3,53 €
501,80400 €90,20 €
1001,63700 €163,70 €
5001,34434 €672,17 €
1.0001,25034 €1.250,34 €
2.0001,21392 €2.427,84 €
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