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STF33N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16355-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF33N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF33N60DM2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1870 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 130mOhm bei 12A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP34N65X2M | IXYS | 0 | IXFP34N65X2M-ND | 7,12000 € | Ähnlich |
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RJK6014DPP-A0#T2-ND | 4,39000 € | Ähnlich |
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | 4,27000 € | Ähnlich |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 4,04000 € | Ähnlich |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 4,08000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,55000 € | 3,55 € |
| 50 | 1,84040 € | 92,02 € |
| 100 | 1,67540 € | 167,54 € |
| 500 | 1,52172 € | 760,86 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,55000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,22450 € |




