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N-Kanal 600 V 26,7 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPAW60R190CEXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPAW60R190CEXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPAW60R190CEXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 26,7 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 630µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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