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IPAW60R190CEXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPAW60R190CEXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAW60R190CEXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 26,7 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 43 | 448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND | 1,83000 € | Ähnlich |
| FCPF150N65F | onsemi | 0 | FCPF150N65FOS-ND | 5,33000 € | Ähnlich |
| FCPF190N60E | onsemi | 0 | FCPF190N60EOS-ND | 4,29000 € | Ähnlich |
| IXKP20N60C5M | IXYS | 0 | IXKP20N60C5M-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| SIHA22N60AE-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHA22N60AE-E3-ND | 1,39022 € | Ähnlich |
















