Name: IPF042N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF042N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.2491 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPF042N10NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPF042N10NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPF042N10NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPF042N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPF042N10NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 21A (Ta), 139A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPF042N10NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,25mOhm bei 80A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 93µA
Serie StrongIRFET™ 2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 85 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 139A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)