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N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R190C6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP60R190C6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R190C6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R190C6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 630µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STP28N60DM2STMicroelectronics0497-16348-5-ND3,85000 €Direkter Ersatz
FCP190N65Fonsemi0FCP190N65F-ND3,82000 ۀhnlich
SIHP21N60EF-GE3Vishay Siliconix0SIHP21N60EF-GE3-ND4,16000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,79000 €2,79 €
501,38200 €69,10 €
1001,32590 €132,59 €
5001,12110 €560,55 €
1.0001,02415 €1.024,15 €
2.0000,98021 €1.960,42 €
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