Parametrisches Äquivalent
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IPP65R190CFDXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP65R190CFDXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R190CFDXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R190CFDXKSA2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 700µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1850 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFD7XKSA1-ND | 2,54000 € | Parametrisches Äquivalent |
| FCP190N60E | onsemi | 0 | FCP190N60EOS-ND | 3,57000 € | Ähnlich |
| IXFP22N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFP22N65X2-ND | 4,74000 € | Ähnlich |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | 4,12137 € | Ähnlich |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | 2,21576 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,09000 € | 3,09 € |
| 50 | 1,55960 € | 77,98 € |
| 100 | 1,41170 € | 141,17 € |
| 500 | 1,15222 € | 576,11 € |
| 1.000 | 1,06888 € | 1.068,88 € |
| 2.000 | 1,01241 € | 2.024,82 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,09000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,67710 € |



















