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IXFP22N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXFP22N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFP22N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 1,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2310 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 390W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 160mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 0 | 488-FCP190N65S3R0-ND | 1,95000 € | Ähnlich |
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | 2,88000 € | Ähnlich |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFDXKSA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | 2,95000 € | Ähnlich |
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPP20N65C3XKSA1-ND | 4,00000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,74000 € | 4,74 € |
| 50 | 2,74680 € | 137,34 € |
| 100 | 2,61210 € | 261,21 € |
| 500 | 2,18622 € | 1.093,11 € |
| 1.000 | 2,13677 € | 2.136,77 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,74000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,64060 € |






