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N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW60R041C6FKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW60R041C6FKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW60R041C6FKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW60R041C6FKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 2,96mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
290 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6530 pF @ 10 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
481W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 44,4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STY100NM60NSTMicroelectronics0497-13289-5-ND22,54000 €Direkter Ersatz
FCH041N65EF-F155onsemi0FCH041N65EF-F155OS-ND12,65000 ۀhnlich
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