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N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW60R041P6FKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW60R041P6FKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW60R041P6FKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 2,96mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8180 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
481W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 35,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCH040N65S3-F155onsemi0FCH040N65S3-F155-ND11,97000 ۀhnlich
FCH041N60Fonsemi0FCH041N60F-ND9,61000 ۀhnlich
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SIHG64N65E-GE3Vishay Siliconix0742-SIHG64N65E-GE3-ND12,36000 ۀhnlich
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304,91900 €147,57 €
1204,17608 €501,13 €
5103,95704 €2.018,09 €
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