IPW65R190C7XKSA1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
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N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R190C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW65R190C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R190C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R190C7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 290µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1150 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 5,7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCH165N60Eonsemi0FCH165N60EOS-ND3,69000 ۀhnlich
IXFH24N60XIXYS0IXFH24N60X-ND3,91000 ۀhnlich
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SIHG23N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHG23N60E-GE3-ND4,57000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,47000 €3,47 €
301,94167 €58,25 €
1201,86558 €223,87 €
5101,37390 €700,69 €
1.0201,30899 €1.335,17 €
2.0101,28266 €2.578,15 €
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Stückpreis mit MwSt.:4,12930 €