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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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N-Kanal 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCH165N60E

DigiKey-Teilenr.
FCH165N60EOS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCH165N60E
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCH165N60E Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
75 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2434 pF @ 380 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (51)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHW23N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHW23N60E-GE3-ND2,04483 €Direkter Ersatz
AOK20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1533-5-ND0,00000 ۀhnlich
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Auf Bestellung verfügbar
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