IRF1010NPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 55 V 85 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF1010NPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1010NPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1010NPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 85 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1010NPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3210 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11mOhm bei 43A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF1018EPBFInfineon Technologies0IRF1018EPBF-ND1,31000 ۀhnlich
DIT090N06Diotec Semiconductor04878-DIT090N06-ND1,57000 ۀhnlich
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Obsolet
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