Name: IRF7342TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7342PBFTR-ND
Price: 1.7612 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7342TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7342PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7342PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7342PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7342TRPBF
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 55V 3,4A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7342TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 3,4A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Serie HEXFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 690pF bei 25V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,4A	Basis-Produktnummer IRF734