IXFH22N65X2 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,71050 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 8,21000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,52000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,09686 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,51000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,51000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,83120 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,05916 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,57000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,34932 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,72000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,82000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,06000 €
Datenblatt
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH22N65X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXFH22N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH22N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 1,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2310 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
390W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
160mOhm bei 11A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (24)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPW60R199CPFKSA1Infineon Technologies0IPW60R199CPFKSA1-ND1,71050 ۀhnlich
SCT3120ALGC11Rohm Semiconductor0SCT3120ALGC11-ND8,21000 ۀhnlich
SIHG21N60EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG21N60EF-GE3-ND4,52000 ۀhnlich
SIHG21N65EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG21N65EF-GE3-ND2,09686 ۀhnlich
SIHG22N60AE-GE3Vishay Siliconix0SIHG22N60AE-GE3-ND4,17000 ۀhnlich
Auf Lager: 0
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,82000 €5,82 €
303,24633 €97,39 €
1203,03958 €364,75 €
5102,76518 €1.410,24 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:5,82000 €
Stückpreis mit MwSt.:6,92580 €