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IXFH22N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXFH22N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFH22N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 1,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2310 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 390W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 160mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R199CPFKSA1-ND | 1,71050 € | Ähnlich |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 0 | SCT3120ALGC11-ND | 8,21000 € | Ähnlich |
| SIHG21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N60EF-GE3-ND | 4,52000 € | Ähnlich |
| SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N65EF-GE3-ND | 2,09686 € | Ähnlich |
| SIHG22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N60AE-GE3-ND | 4,17000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 5,82000 € | 5,82 € |
| 30 | 3,24633 € | 97,39 € |
| 120 | 3,03958 € | 364,75 € |
| 510 | 2,76518 € | 1.410,24 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,82000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 6,92580 € |






