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N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

DigiKey-Teilenr.
SCT3120ALGC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT3120ALGC11
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
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EDA/CAD-Modelle
SCT3120ALGC11 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 3,33mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
460 pF @ 500 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
103W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 6,7A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Ersatzartikel (20)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IXKH20N60C5IXYS0IXKH20N60C5-ND0,00000 €Upgrade
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