Ähnlich
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IXFH60N65X2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXFH60N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFH60N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 60A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 780W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 107 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6180 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 780W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 52mOhm bei 30A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | 5,86000 € | Ähnlich |
| R6076MNZ1C9 | Rohm Semiconductor | 0 | R6076MNZ1C9-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| STW58N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16131-5-ND | 8,96000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 10,91000 € | 10,91 € |
| 30 | 6,60200 € | 198,06 € |
| 120 | 5,65667 € | 678,80 € |
| 510 | 5,43557 € | 2.772,14 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 10,91000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 12,98290 € |




