R6076MNZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6076MNZ1C9

DigiKey-Teilenr.
R6076MNZ1C9-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6076MNZ1C9
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6076MNZ1C9 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
115 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7000 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
740W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
55mOhm bei 38A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
R6070JNZ4C13Rohm Semiconductor0846-R6070JNZ4C13-ND7,84000 ۀhnlich
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