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N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP25N60M2-EP

DigiKey-Teilenr.
497-15892-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP25N60M2-EP
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP25N60M2-EP Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,75V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1090 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
188mOhm bei 9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (18)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND1,79604 ۀhnlich
FCP150N65Fonsemi0FCP150N65FOS-ND5,22000 ۀhnlich
FCP165N60Eonsemi0FCP165N60E-ND2,00000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,08000 €3,08 €
501,55620 €77,81 €
1001,40850 €140,85 €
5001,14952 €574,76 €
1.0001,06635 €1.066,35 €
2.0001,00964 €2.019,28 €
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Stückpreis mit MwSt.:3,66520 €