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N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFP34N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXFP34N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFP34N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3230 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 17A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPA65R125C7XKSA1Infineon Technologies0IPA65R125C7XKSA1-ND3,91000 ۀhnlich
R6030KNXRohm Semiconductor0R6030KNX-ND4,06000 ۀhnlich
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TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage0TK28A65WS5X-ND4,80000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
17,12000 €7,12 €
503,89640 €194,82 €
1003,67240 €367,24 €
5003,20522 €1.602,61 €
Standardverpackung des Herstellers
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