Ähnlich
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Parametrisches Äquivalent



FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDP039N08B-F102-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP039N08B-F102 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP039N08B-F102 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9450 pF @ 40 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 214W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 100A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP028N08N3GXKSA1-ND | 4,89000 € | Ähnlich |
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK65E10N1S1X-ND | 3,07000 € | Ähnlich |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 0 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | 0,00000 € | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 7,47000 € | 7,47 € |
| 10 | 5,10700 € | 51,07 € |
| 100 | 3,77030 € | 377,03 € |
| 800 | 3,30665 € | 2.645,32 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 7,47000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 8,88930 € |




