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N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDP039N08B-F102

DigiKey-Teilenr.
FDP039N08B-F102-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP039N08B-F102
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDP039N08B-F102 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
133 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9450 pF @ 40 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,9mOhm bei 100A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP028N08N3GXKSA1Infineon Technologies0448-IPP028N08N3GXKSA1-ND4,89000 ۀhnlich
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage0TK65E10N1S1X-ND3,07000 ۀhnlich
FDP039N08B-F102Rochester Electronics, LLC02156-FDP039N08B-F102ND-ND0,00000 €Parametrisches Äquivalent
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
17,47000 €7,47 €
105,10700 €51,07 €
1003,77030 €377,03 €
8003,30665 €2.645,32 €
Standardverpackung des Herstellers
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