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FQP2N90 | |
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DigiKey-Teilenr. | FQP2N90FS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQP2N90 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 900 V 2,2 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQP2N90 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 500 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 85W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,2Ohm bei 1,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N90TM | onsemi | 0 | FQD2N90TMCT-ND | 1,68000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IXTP2N100P | IXYS | 0 | 238-IXTP2N100P-ND | 3,79000 € | Ähnlich |
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