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N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP2N100P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP2N100P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP2N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
655 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,5Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMN90H8D5HCTDiodes Incorporated0DMN90H8D5HCTDI-ND0,60440 ۀhnlich
FQP2N90onsemi0FQP2N90FS-ND0,00000 ۀhnlich
STF3NK100ZSTMicroelectronics0497-STF3NK100Z-ND3,28000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,79000 €3,79 €
501,94800 €97,40 €
1001,77010 €177,01 €
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Standardverpackung des Herstellers
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