R6020ENZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6020ENZ1C9

DigiKey-Teilenr.
R6020ENZ1C9-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6020ENZ1C9
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6020ENZ1C9 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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