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Datenblatt
N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP150N10F7

DigiKey-Teilenr.
497-14570-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP150N10F7
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP150N10F7 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
117 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8115 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,2mOhm bei 55A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (22)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT284LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT284L-ND1,06465 ۀhnlich
AOT2904Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT2904-ND0,00000 ۀhnlich
DIT100N10Diotec Semiconductor04878-DIT100N10-ND1,63000 ۀhnlich
DMTH10H005LCTDiodes Incorporated0DMTH10H005LCT-ND2,72000 ۀhnlich
DMTH10H005SCTDiodes Incorporated0DMTH10H005SCT-ND2,50000 ۀhnlich
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,36000 €2,36 €
501,46380 €73,19 €
1001,42210 €142,21 €
5001,16116 €580,58 €
1.0001,07733 €1.077,33 €
2.0001,02170 €2.043,40 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:2,80840 €