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N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP34NM60ND

DigiKey-Teilenr.
497-11335-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP34NM60ND
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP34NM60ND Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80.4 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2785 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 14,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STP33N60DM2STMicroelectronics0497-16352-5-ND4,12000 €Vom Hersteller empfohlen
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1515-5-ND5,76000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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