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N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW26N60M2

DigiKey-Teilenr.
STW26N60M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW26N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW26N60M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1360 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
169W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCH22N60Nonsemi0FCH22N60N-ND0,00000 ۀhnlich
IPW60R180P7XKSA1Infineon Technologies0IPW60R180P7XKSA1-ND2,88000 ۀhnlich
IXFX44N80Q3IXYS0IXFX44N80Q3-ND26,45217 ۀhnlich
R6022YNZ4C13Rohm Semiconductor0846-R6022YNZ4C13-ND4,96000 ۀhnlich
SCT3120ALGC11Rohm Semiconductor0SCT3120ALGC11-ND8,21000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,14000 €3,14 €
102,29500 €22,95 €
1001,61640 €161,64 €
6001,30068 €780,41 €
1.2001,21182 €1.454,18 €
2.4001,19528 €2.868,67 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,73660 €