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STW56N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15594-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW56N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 49 A (Tc) 358W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW56N65M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 93 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 358W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 62mOhm bei 24,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | 5,86000 € | Ähnlich |
| IXFH60N60X | IXYS | 0 | IXFH60N60X-ND | 7,87867 € | Ähnlich |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH60N65X2-ND | 10,91000 € | Ähnlich |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 0 | IXTH48N65X2-ND | 8,55000 € | Ähnlich |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | 7,46633 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 8,16000 € | 8,16 € |
| 30 | 4,81400 € | 144,42 € |
| 120 | 4,07933 € | 489,52 € |
| 510 | 3,71520 € | 1.894,75 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 8,16000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 9,71040 € |





