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STWA70N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | STWA70N60DM2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STWA70N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 66 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 lange Anschlüsse |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STWA70N60DM2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 120 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5508 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 446W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 lange Anschlüsse |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 42mOhm bei 33A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R041C6FKSA1-ND | 11,63000 € | Ähnlich |
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW65R045C7FKSA1-ND | 7,55000 € | Ähnlich |
| SIHW61N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW61N65EF-GE3-ND | 12,43000 € | Ähnlich |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 12,38000 € | Ähnlich |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 9,67000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 600 | 5,01807 € | 3.010,84 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,01807 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,97150 € |





