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N-Kanal 1000 V 1,85 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP2NK100Z

DigiKey-Teilenr.
497-STP2NK100Z-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP2NK100Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 1,85 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP2NK100Z Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
499 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,5Ohm bei 900mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFBG20PBFVishay Siliconix0IRFBG20PBF-ND3,04000 ۀhnlich
IXTP05N100IXYS0238-IXTP05N100-ND3,32000 ۀhnlich
IXTP1N100PIXYS0238-IXTP1N100P-ND3,04000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,26000 €3,26 €
501,65200 €82,60 €
1001,49680 €149,68 €
5001,22470 €612,35 €
1.0001,13730 €1.137,30 €
2.0001,08794 €2.175,88 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:3,26000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,87940 €