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STW28N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15575-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW28N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW28N65M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1440 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 170W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 10A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34M60B | Microchip Technology | 0 | APT34M60B-ND | 9,69020 € | Ähnlich |
| FCH170N60 | onsemi | 0 | FCH170N60-ND | 5,57000 € | Ähnlich |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 0 | FCH190N65F-F155-ND | 6,08000 € | Ähnlich |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R190E6FKSA1-ND | 3,79000 € | Ähnlich |
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW65R190C7XKSA1-ND | 3,47000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,12000 € | 4,12 € |
| 30 | 1,89433 € | 56,83 € |
| 120 | 1,79100 € | 214,92 € |
| 510 | 1,67588 € | 854,70 € |
| 1.020 | 1,62903 € | 1.661,61 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,12000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,90280 € |















